EPR
EPR助力提升太陽能電池質量和性能
應用說明
秉持誠信 不斷創新
引言
最近三十年里,光伏組件的累計銷售每增加一倍,其平均價格即下降
20%。難于獲取足夠高純度的硅或(有機光伏電池所需的)聚合物,一直
是阻礙光伏產業實現快速增長的重要因素之一。因此,市場非常需要成本
低廉的、生產光伏應用所需的硅和聚合物的技術。但成本低廉的生產技
術極有可能導致所生產的硅或聚合物純度降低。因此,對缺陷和雜質含
量有精確的要求, 同時不影響達成產品良率和成本目標,并實現更短的能
源行業投資回報周期,具有至關重要的作用。
光伏材料中的順磁性缺陷和雜質包括:
. SiO2 中的E ’中心
. SiO2 或c-Si中的原子H0
. 懸空鍵(Si-SiO2界面處的Pb 中心)
. 晶界缺陷
. 晶粒內缺陷
. 過渡金屬 . 自由基
深能級缺陷對多晶硅薄膜太陽能電池的器件性能的影響
具備高電子質量的薄膜,是發展下一代硅薄膜太陽能電池的前提。為了生
產出可以硅晶圓太陽能電池相媲美的晶體硅薄膜太陽能電池,
我們探索了許多在玻璃襯底上制備多晶硅薄膜的方法。然而
多晶硅太陽能電池相比硅晶圓太陽能電池開路電壓(V )顯著降低。對
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固相晶體硅太陽能電池進行的EPR研究表明,深能級順磁性缺陷是多晶硅
中的主要復合中心,因而是制約多晶硅電子質量的最重要因素。EPR研究
所得到的結論包括:
. 多晶硅太陽能電池中通常存在晶界和晶粒內缺陷
. 借助布魯克的SpinCount模塊,可以測定缺陷含量(即缺陷密度Ns)
oc |
降低而升高
. EPR研究證明,順磁性缺陷密度是制約多晶硅太陽能電池性能的一個 因素
圖1:多晶硅薄膜太陽能電池性能與缺陷密度之間的關系。
根據知識共享許可協議4.0(Creative Commons Attribution License 4.0)的條件摘自參考文獻[1]。
鑒定多晶硅薄膜中的晶粒內和晶界缺陷
證明是順磁性缺陷在制約多晶硅太陽能電池的器件性能后,在微觀水平上探討觀測到的缺陷來源,對于鑒定這些缺陷至關重 要。通過對平均晶粒粒徑為200 μm的液相晶化層,及擁有類似晶粒內形態但不同晶粒粒徑(0.25 μm-1 μm)的特定固相晶化 硅層,進行EPR定量測量,可以表征多晶硅薄膜中的晶粒內和晶界缺陷。結果發現,缺陷特性由兩個擁有不同g值(g = 2.0055 和2.0032)的信號組成,它們分別被歸為晶界缺陷和晶粒內缺陷。
圖2:晶粒粒徑為0.25 μm和200 μm的多晶硅薄膜的EPR譜 圖。EPR數據表明,在g = 2.0032處存在晶粒內缺陷(深黃色譜 圖),在g = 2.0055處存在晶界缺陷(紅色譜圖)。根據知識共享 許可協議4.0(Creative Commons Attribution License 4.0)的 條件摘自參考文獻[2]。
圖3:掃描電鏡(SEM)下的多晶硅薄膜圖像。通過EPR鑒別出的兩種缺陷分別顯示為深黃色和紅 色。根據知識共享許可協議4.0(Creative Commons Attribution License 4.0)的條件摘自參考 文獻[2]。
鈣鈦礦:研發低成本和高效率太陽能電池的新途徑
近年來,鈣鈦礦結構在光伏電池和儲能應用中展現出巨大的發展前景。 鈣鈦礦型光伏電池成本低,壽命長。這些太陽能電池具有可調帶隙、高 吸光能力和高載流子遷移率等理想性能,且能量轉換效率(PCE)顯著提 高。但是,鈣鈦礦結構在其界面和晶界處存在外源缺陷,它們將影響鈣 鈦礦薄膜的結晶度,并使其在太陽能電池中的結構容易發生分解。通過 EPR可以研究順磁性缺陷的類型及其在晶格中的密度。
圖4:鈣鈦礦型太陽能電池的示意圖。根據知識共享許可協議4.0 (Creative Commons Attribution License 4.0)的條件摘自沖 繩科學技術大學院大學(OIST)的網站。
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鈣鈦礦薄膜中聚焦離子束誘導的順磁性缺陷
據知,離子束輻照能夠誘導相變和非晶化等結構變化。在聚焦離子束輻照 條件下,EPR可檢測到含錳氧化物的鈣鈦礦薄膜中孤立和定域的順磁性自 旋。這些缺陷在低溫下(5-50 K)表現出居里效應,表明在缺陷部位存在定 域電子。
通過EPR檢測和鑒定缺陷類型及分布,是幫助研究人員和制造商找到消除 缺陷的適當解決方案的關鍵。無論是在太陽能電池中,還是作為燃料電池 和空氣電池中的電極,或者固態鋰離子電池中的電解質,鈣鈦礦材料在儲 能應用中都已展現出非常誘人的應用前景。因此,通過缺陷工程可以調控 這些新型材料的性能,以便更好地了解它們的吸光性能。
圖5:不同溫度下,鈣鈦礦薄膜中聚焦離子束輻照誘導的缺陷 中心的EPR譜圖。根據知識共享許可協議4.0(Creative Com- mons Attribution License 4.0)的條件摘自參考文獻[5]。
參考文獻
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